Накопители SSD SAMSUNG

Корпорация Samsung часто выступает в виде новатора интересных решений и всегда старается максимально быстро внедрить в свои продукты новые технологии. Вот и в сфере производства флэш-памяти корейский гигант решил не участвовать в гонке нанометров по выпуску MLC-памяти, а разработать нечто альтернативное. Венцом их работы на сегодняшний день стала память 3D V-NAND. Главная особенность которой состоит в абсолютно ином подходе к компоновке ячеек памяти — создании вертикальных слоев, что избавляет от необходимости наращивания плотности хранения данных на двумерной плоскости кристалла. Актуальные поколение ячеек V-NAND насчитывает 32 слоя и позволяет выпускать чипы по более старому и проверенному 40-нм техпроцессу, что в свою очередь обеспечивает повышенную надежность и ресурс работы памяти. Производитель заявляет о 35 000 циклах перезаписи и это значительно превосходит сегодняшние возможности MLC-чипов.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *